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玻璃窑耐材的选择因素及马蹄焰(钠钙玻璃)窑用哪些耐火材料

发布日期:2021-10-12 05:21:06

玻璃熔窑耐火材料选用前需要了解哪些因素?
①池炉使用年限;
②玻璃质量要求;
③生产能力,即熔化率和熔化温度选取多少;
④保温情况,为了节约燃料需在哪些部位采取保温;⑤经济性,即投资的多。
玻璃池窑砌筑用耐火材料应满足哪些要求?
修筑玻璃池炉用的各种耐火材料应满足以下基本要求:
①应具有高的软化、熔融温度,一般耐火度不低于1580℃。
②有足够的机械强度,能抵抗撞击、摩擦、高温高速火焰、烟尘的冲刷和其他机械作用。
③高温结构强度好,在操作温度下能长期承受机械负荷。
④对熔融配合料各组分、熔融玻璃及气态物质的侵蚀作用抵抗力强。
⑤对玻璃的污染要小。
⑥耐急冷急热性能(热震性)好。
⑦高温体积稳定性好。残余收缩或膨胀小。
⑧热容、热膨胀、导热等热性能满足使用要求。
⑨外形规整,尺寸准确。
⑩根据使用条件提出的其他要求(如电极砖的电性能要符合使用要求)。
必须依据池炉各部位不同的侵蚀条件来选用耐火材料。
马蹄焰窑钠钙(瓶罐、器皿、灯泡、荧光灯)玻璃池炉各部位通常选用哪些耐火材料?
熔化池:
池壁:使用温度1400~1600℃,选用AZS-33砖TC。选用根据:对于熔融玻璃液有较好的抗蚀性和耐热冲击性。
池壁温度较低部位:使用温度<1400℃,选用电熔锆莫来石。选用根据:对于熔融玻璃液有较好的抗蚀性和耐热冲击性。
池底铺砌砖:使用温度1300~1500℃,选用电熔AZS-33#砖D.C.L。选用根据:对于熔融玻璃液有较好的抗蚀性和耐热冲击性。
池底:使用温度<1400℃,选用黏土大砖或高铝大砖。
加料口:使用温度1400~1500℃,选用电熔AZS-36#砖R.V或电熔AZS-41#砖R.V。选用根据:对玻璃的抗侵蚀性极强鼓泡部位:使用温度1400~1500℃,选用电熔AZS-41#砖D.C.L。选用根据:该砖适用于侵蚀最强的部位。
电极部位:使用温度1400~1600℃,选用电熔AZS-41#RD.C.L。
熔化池上部结构:
加料口上部:使用温度1400~1500℃,选用电熔AZS-36#砖R.C。选用根据:耐火料的侵蚀,对火焰的冲击也有较高的抗侵蚀性和抗热震性。
喷火口:使用温度1500~1650℃,选用电熔AZS-31#或41#R.C砖。选用根据:耐火料的侵蚀和火焰的冲击。
小炉通道(顶和侧墙):使用温度1450~1600℃,选用电熔β-Al?O?或优质硅砖。选用根据:不致黏附飞扬的飞料,耐碱蒸气的侵蚀性也好。
花格墙:使用温度1400~1600℃,选用电熔α-Al?O?砖或电熔-AZS砖。
熔化池大碹:使用温度1300~1650℃,选用高致密硅砖或电熔AZS砖。
挂钩砖、喷嘴砖:使用温度1500~1650℃,选用电熔AZS砖。
工作池:
池壁:使用温度1300~1450℃,选用电熔α-Al?O?T.C或电熔AZS(氧化法)砖。选用根据:与玻璃液接触发泡少,抗污染性好,该温度下抗侵蚀性与电熔AZS33#相当。
池底铺砌砖:使用温度1300~1400℃,选用电熔AZS砖V.F。选用根据:与玻璃液接触发泡少,抗污染性好,该温度下抗侵蚀性与电熔AZS33#相当。
料道(液面以下部分):选用电熔α-β-Al?O?砖R.C或电熔AZS(氧化法)砖。选用根据:电熔AZS-41#含ZrO?量高,耐侵蚀性能好。
流液洞:使用温度1400~1500℃,选用电熔AZS-41#砖D.C.L。
工作池上部结构:
工作池大碹:使用温度1300~1450℃,选用优质硅砖工作池脚墙:使用温度1300~1450℃,选用硅砖、β-Al?O?砖。
工作池进料口上部:使用温度1300~1400℃,选用电熔β-Al?O?砖R.C、烧结莫来石砖、硅线石砖。选用根据:因不含玻璃相故不会污染玻璃。对于碱蒸气或凝固碱性物质抗侵蚀性强。
流液洞过桥砖:使用温度1400~1500℃,选用电熔AZS-33#R.C,电熔α-β-Al?O?砖。选用根据:要有较好的耐热冲击性和抗侵蚀性。
蓄热室:
碹顶、上部侧墙:使用温度1400~1550℃,选用直接结合镁铬砖或硅砖碱性耐火材料,选用根据:抗碱性物质侵蚀较好,但高温强度差。
中、下部侧墙:镁铬砖、高铝砖
上部隔墙:使用温度1200~1400℃,选用直接结合镁铬砖,选用根据:要有良好的抗蠕变性能。
中、下部隔墙:使用温度600~1200℃,选用低气孔率黏土砖。
格子体上部:使用温度1300~1400℃,选用高纯度镁砖,直接结合镁砖,烧结AZS砖,选用根据:高温的温度变化,粉料飞散,氧化还原的反复。
格子体中部:使用温度1000~1200℃,选用直接结合镁铬砖,选用根据:碱蒸汽的凝缩,硫酸盐的凝缩,氧化还原的反复。
隔离砖:选用高铝砖。
格子体下部:使用温度600~1000℃,选用低气孔黏土砖,选用根据:低温的温度变化。
格子体支撑碹:使用温度400~600℃,选用低气孔黏土砖,选用根据:温度的荷重,粉尘固着,低温的温度变化。
供料道:
上部空间:使用温度1300~1400℃,选用电熔α-β-Al2O3砖,烧结AZS砖,硅线石砖,烧结莫来石砖,选用根据:硅线石砖玻璃相含量比一般黏土砖少,莫来石晶体生长得较好,莫来石晶体生长得较好,制品耐侵蚀性及热稳定性较好。
料道:使用温度1250~1350℃,选用电熔α-β-Al2O3砖,烧结AZS砖。
料盆:使用温度1250~1350℃,选用电熔α-β-Al2O3砖,烧结AZS砖,选用根据:要耐磨性好,耐侵蚀,耐热冲击。
冲头,料碗:使用温度1050~1300℃,选用电熔α-β-Al2O3砖,烧结AZS砖,硅线石砖,烧结莫来石砖。
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